APTM60A11FT1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM60A11FT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 40A
输入电容Ciss 10552pF @25VVds
额定功率Max 390 W
封装参数
安装方式 Screw
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM60A11FT1G引脚图与封装图
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在线购买APTM60A11FT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTM60A11FT1G | Microsemi 美高森美 | 相桥臂MOSFET功率模块 Phase leg MOSFET Power Module | 搜索库存 |
替代型号APTM60A11FT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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