漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 5448pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
安装方式 Through Hole
封装 SP-1
封装 SP-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTM50H15FT1G | Microsemi 美高森美 | 全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APTM50H15FT1G 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SP1 N-CH 500V 25A | 当前型号 | 全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module | 当前型号 | |
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