IRF7204TR、TPC8102、MMSF3P02HDR2G对比区别

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型号 IRF7204TR TPC8102 MMSF3P02HDR2G

描述 SOIC P-CH 20V 5.3A2-6J1A P-CH 30V 6AP 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SOIC-8 2-6J1A SOIC-8

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -3.00 A

漏源极电阻 - - 0.06 Ω

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 2.5W (Tc) - 2.5 W

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 - - 1.40 nF

栅电荷 - - 46.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.3A 6A 5.60 A

上升时间 - - 135 ns

输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) - 1400pF @16V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) - 2.5W (Ta)

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC-8 2-6J1A SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99