极性 P-CH
耗散功率 2.5W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.3A
输入电容Ciss 860pF @10VVds
耗散功率Max 2.5W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7204TR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOIC P-CH 20V 5.3A | 当前型号 | SOIC P-CH 20V 5.3A | 当前型号 | |
型号: IRF7204TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 20V 5.3A | 类似代替 | INFINEON IRF7204TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.06 ohm, -10 V, -2.5 V | IRF7204TR和IRF7204TRPBF的区别 | |
型号: IRF7204PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 20V 5.3A | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF7204TR和IRF7204PBF的区别 | |
型号: IRF7204 品牌: 英飞凌 封装: SOIC P-CH 20V 5.3A | 类似代替 | SOIC P-CH 20V 5.3A | IRF7204TR和IRF7204的区别 |