SMMBT5551LT1G、SMMBT5551LT3G、MMBT5551LT3G对比区别
型号 SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT3G MMBT5551LT3G
描述 NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 HV XSTR SPCL TRNPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - - 160 V
额定电流 - - 600 mA
额定功率 - - 225 mW
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 225 mW 300 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 30 - 80
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 225 mW
针脚数 3 - -
最大电流放大倍数(hFE) 250 250 -
长度 - - 3.04 mm
宽度 - - 2.64 mm
高度 - - 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99