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IPD250N06N3GBTMA1、IPD800N06NGBTMA1、IPD350N06LGBTMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD250N06N3GBTMA1 IPD800N06NGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1

描述 DPAK N-CH 60V 28ADPAK N-CH 60V 16AINFINEON  IPD350N06LGBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.6 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 71 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.027 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 36W (Tc) 47000 mW 68 W

阈值电压 - - 1.6 V

输入电容 - - 600 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 28A 16A 29A

上升时间 - 38 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @30V(Vds) 370pF @30V(Vds) 600pF @30V(Vds)

下降时间 - 27 ns 20 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 36W (Tc) 47W (Tc) 68W (Tc)

额定功率(Max) - 47 W -

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17