IPD800N06NGBTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD800N06NGBTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 47000 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 370pF @30VVds
额定功率Max 47 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 47W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IPD800N06NGBTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD800N06NGBTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD800N06NGBTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 60V 16A | 搜索库存 |
替代型号IPD800N06NGBTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD800N06NGBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 60V 16A | 当前型号 | DPAK N-CH 60V 16A | 当前型号 |
| 型号： IPD350N06LGBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 29A | 类似代替 | INFINEON IPD350N06LGBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.6 V 新 | IPD800N06NGBTMA1和IPD350N06LGBTMA1的区别 |
| 型号： IPD250N06N3GBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： DPAK N-CH 60V 28A | 类似代替 | DPAK N-CH 60V 28A | IPD800N06NGBTMA1和IPD250N06N3GBTMA1的区别 |
| 型号： IPD350N06LG 品牌： 英飞凌 封装： TO-252AA | 功能相似 | 60V,47mΩ,29A,N沟道功率MOSFET | IPD800N06NGBTMA1和IPD350N06LG的区别 |