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IPD250N06N3GBTMA1

IPD250N06N3GBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 60V 28A

N-Channel 60V 28A Tc 36W Tc Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3


IPD250N06N3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 36W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 28A

输入电容Ciss 1200pF @30VVds

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD250N06N3GBTMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD250N06N3GBTMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 60V 28A 搜索库存
替代型号IPD250N06N3GBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD250N06N3GBTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK N-CH 60V 28A

当前型号

DPAK N-CH 60V 28A

当前型号

型号: IPD350N06LGBTMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 29A

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品牌: 英飞凌

封装: TO-252AA

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