IPB065N03LG、IPB10N03LB、IPB065N03LGATMA1对比区别
型号 IPB065N03LG IPB10N03LB IPB065N03LGATMA1
描述 IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-2 TO-263-4 TO-263-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 50.0 A -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 56000 mW 58W (Tc) 56 W
输入电容 - 1.64 nF -
栅电荷 - 13.0 nC -
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A 50A
输入电容(Ciss) 1800pF @15V(Vds) 1639pF @15V(Vds) 1800pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 58 W -
耗散功率(Max) 56 W 58W (Tc) 56000 mW
额定功率 - - 56 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0054 Ω
阈值电压 - - 1 V
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 4.2 ns - 4.2 ns
下降时间 3.4 ns - 3.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
封装 TO-263-2 TO-263-4 TO-263-3
长度 10.31 mm - 10 mm
宽度 9.45 mm - 9.25 mm
高度 4.57 mm - 4.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17