IPB10N03LB
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB10N03LB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
极性 N-CH
耗散功率 58W Tc
输入电容 1.64 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 1639pF @15VVds
额定功率Max 58 W
耗散功率Max 58W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-4
外形尺寸
封装 TO-263-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IPB10N03LB引脚图与封装图
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在线购买IPB10N03LB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB10N03LB | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB10N03LB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB10N03LB 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-4 N-CH 30V 50A 1.64nF | 当前型号 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB065N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 50A | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V | IPB10N03LB和IPB065N03LGATMA1的区别 |
| 型号： IPB065N03LG 品牌： 英飞凌 封装： PG-TO263-2 N-Channel | 功能相似 | IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPB10N03LB和IPB065N03LG的区别 |