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IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V

The IPB065N03L G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life.

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Easy to design in
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Increased battery lifetime
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Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
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Saving space
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Reducing power losses
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Optimized technology for DC-to-DC converters
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Qualified according to JEDEC for target applications
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Logic level
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Excellent gate charge x RDS ON product FOM
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Very low ON-resistance RDS ON
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Avalanche rated
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Halogen-free, Green device
IPB065N03LGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 56 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 56 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 4.2 ns

输入电容Ciss 1800pF @15VVds

下降时间 3.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 56000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Mainboard, 便携式器材, Onboard charger, 电机驱动与控制, 发光二极管照明, Consumer Electronics, VRD/VRM, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品, LED Lighting

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB065N03LGATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB065N03LGATMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V 搜索库存
替代型号IPB065N03LGATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB065N03LGATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 30V 50A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V

当前型号

型号： IPB065N03LG

品牌： 英飞凌

封装： PG-TO263-2 N-Channel

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IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPB065N03LGATMA1和IPB065N03LG的区别

型号： IPB10N03LB

品牌： 英飞凌

封装： TO-263-4 N-CH 30V 50A 1.64nF

功能相似

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPB065N03LGATMA1和IPB10N03LB的区别