IRF520N、IRF520NPBF、IRF530对比区别
描述 TO-220AB N-CH 100V 9.7AN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 14.0 A
漏源极电阻 - 0.2 Ω 180 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 48W (Tc) 48 W 60W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.7A 9.7A 14.0 A
上升时间 - 23 ns 25.0 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 458pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) 60W (Tc)
额定功率 - 48 W -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 330pF @25V -
下降时间 - 23 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.54 mm -
宽度 - 4.69 mm -
高度 - 8.77 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -