IRF520N
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF520N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 48W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 9.7A
输入电容Ciss 330pF @25VVds
耗散功率Max 48W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Full-Bridge
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
IRF520N引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF520N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF520N 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220AB N-CH 100V 9.7A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 100V 9.7A | 当前型号 |
| 型号： IRF520NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 9.7A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF520N和IRF520NPBF的区别 |
| 型号： BUZ72 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | IRF520N和BUZ72的区别 |
| 型号： IRF533 品牌： Harris 封装： | 功能相似 | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated | IRF520N和IRF533的区别 |