IRF530中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 14.0 A
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 25.0 ns
输入电容Ciss 458pF @25VVds
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准
IRF530引脚图与封装图
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在线购买IRF530
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF530 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号IRF530
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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