JAN2N3507L、JANTXV2N3507、2N3507L对比区别

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型号 JAN2N3507L JANTXV2N3507 2N3507L

描述 TO-5 NPN 50V 3ATO-39 NPN 50V 3ANPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-5 TO-39 TO-5

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @1.5A, 2V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-5 TO-39 TO-5

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -