JANTXV2N3507
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JANTXV2N3507中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANTXV2N3507引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3507
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3507 | Microsemi 美高森美 | TO-39 NPN 50V 3A | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3507
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3507 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 NPN 1000mW | 当前型号 | TO-39 NPN 50V 3A | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3507A 品牌： 美高森美 封装： TO-39 NPN | 完全替代 | TO-39 NPN 50V 3A | JANTXV2N3507和JANTX2N3507A的区别 |
| 型号： 2N3507A 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 类似代替 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N3507和2N3507A的区别 |
| 型号： 2N3507 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 类似代替 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N3507和2N3507的区别 |