FQP44N10、FQP44N10F、STP30NF10对比区别

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型号 FQP44N10 FQP44N10F STP30NF10

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP44N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 43.5 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 4 V100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 43.5 A - 35.0 A

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.03 Ω 39.0 mΩ 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 146 W 146W (Tc) 115 W

阈值电压 4 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 43.5 A 43.5 A 35.0 A

上升时间 190 ns - 40 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 146 W 146 W 115 W

下降时间 100 ns - 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 146W (Tc) 146W (Tc) 115W (Tc)

额定功率 - - 115 W

长度 10.1 mm - 10.4 mm

宽度 4.7 mm - 4.6 mm

高度 9.4 mm - 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99