CSD18541F5、CSD18541F5T对比区别

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型号 CSD18541F5 CSD18541F5T

描述 CSD18541F5 60V N 通道 FemtoFET™ MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V 新

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 0.5 W 500 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 2.2A 2.2A

上升时间 540 ns 540 ns

输入电容(Ciss) 598pF @30V(Vds) 777pF @30V(Vds)

下降时间 496 ns 496 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500mW (Ta)

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.054 Ω

阈值电压 - 1.75 V

漏源击穿电压 - 60 V

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

长度 - 1.53 mm

宽度 - 0.77 mm

高度 - 0.35 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99