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CSD18541F5T

CSD18541F5T

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V 新

表面贴装型 N 通道 60 V 2.2A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR


得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR


立创商城:
CSD18541F5T


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.5 mm x 0.8mm, 65 mOhm, gate ESD protection


贸泽:
MOSFET 60-V N-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PicoStar T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin PICOSTAR T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  MOSFET, N-CH, 60V, 2.2A, PICOSTAR-3


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR / N-Channel 60 V 2.2A Ta 500mW Ta Surface Mount 3-PICOSTAR


CSD18541F5T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 1.75 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 2.2A

上升时间 540 ns

输入电容Ciss 777pF @30VVds

下降时间 496 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1.53 mm

宽度 0.77 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18541F5T引脚图与封装图
CSD18541F5T引脚图

CSD18541F5T引脚图

CSD18541F5T封装图

CSD18541F5T封装图

CSD18541F5T封装焊盘图

CSD18541F5T封装焊盘图

在线购买CSD18541F5T
型号 制造商 描述 购买
CSD18541F5T TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V 新 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18541F5T

品牌: TI 德州仪器

封装: PICOSTAR N-Channel 60V 2.2A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18541F5T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 60 V, 0.054 ohm, 10 V, 1.75 V 新

当前型号

型号: CSD18541F5

品牌: 德州仪器

封装: PICOSTAR N-CH 60V 2.2A

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