BUB323Z、BUB323ZT4、BUB323ZT4G对比区别
型号 BUB323Z BUB323ZT4 BUB323ZT4G
描述 NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power DarlingtonNPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power DarlingtonON SEMICONDUCTOR BUB323ZT4G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 350 V 350 V 350 V
额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 150 W - 150 W
输入电容 - - 550 pF
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V
集电极最大允许电流 10A 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 500 500 @5A, 4.6V 500 @5A, 4.6V
最大电流放大倍数(hFE) 3400 - 3400
额定功率(Max) 150 W 150 W 150 W
直流电流增益(hFE) - - 500
下降时间 - - 625 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 150000 mW
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.29 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 800 - -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20
ECCN代码 - - EAR99