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BUB323ZT4

BUB323ZT4

数据手册.pdf

NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power Darlington

The BUB323Z is a planar, monolithic, high voltage bipolar power Darlington transistor with a built-in active zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control.

Features

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Integrated High–Voltage Active Clamp
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Tight Clamping Voltage Window 350 V to 450 VGuaranteed Over the –40°C to +125°C Temperature Range
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Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live Ignition Circuit
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High DC Current Gain/Low Saturation Voltages Specified Over Full Temperature Range
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Design Guarantees Operation in SOA at All Times
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Pb-Free Packages are Available
BUB323ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 500 @5A, 4.6V

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BUB323ZT4引脚图与封装图
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在线购买BUB323ZT4
型号 制造商 描述 购买
BUB323ZT4 ON Semiconductor 安森美 NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power Darlington 搜索库存
替代型号BUB323ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BUB323ZT4

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-263-3 NPN 350V 10A

当前型号

NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power Darlington

当前型号

型号： BUB323ZT4G

品牌： 安森美

封装： TO-263-3 NPN 350V 10A 150000mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE

BUB323ZT4和BUB323ZT4G的区别

型号： BUB323ZG

品牌： 安森美

封装： TO-263-3 NPN 350V 10A 150000mW

完全替代

NPN硅达林顿功率高压Autoprotected D2PAK封装的表面贴装 NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount

BUB323ZT4和BUB323ZG的区别

型号： BUB323Z

品牌： 安森美

封装： D2PAK-3 NPN 350V 10A

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BUB323ZT4和BUB323Z的区别