FDB6670AL、STB80NF03L-04T4、STB95N3LLH6对比区别

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型号 FDB6670AL STB80NF03L-04T4 STB95N3LLH6

描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

漏源极电阻 5.20 mΩ 4.00 mΩ 0.0037 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 68 W 300 W 70 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A

上升时间 13 ns 270 ns 91 ns

输入电容(Ciss) 2440pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 68 W 300 W -

下降时间 15 ns 95 ns 23.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 68W (Tc) 300W (Tc) 70W (Tc)

阈值电压 - - 1 V

额定电流 - 80.0 A -

通道数 - 1 -

输入电容 - 5500 pF -

高度 4.83 mm - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm 10.4 mm

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99