FDB6670AL
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB6670AL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
漏源极电阻 5.20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 2440pF @15VVds
额定功率Max 68 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB6670AL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDB6670AL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB6670AL | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDB6670AL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB6670AL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO263AB N-Channel 30V 80A 5.2mohms | 当前型号 | N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDB8896 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 30V 93A 5.7mohms 2.62nF | 类似代替 | N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDB6670AL和FDB8896的区别 |
| 型号： STB80NF03L-04T4 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | FDB6670AL和STB80NF03L-04T4的区别 |
| 型号： STB95N3LLH6 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 30V 80A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | FDB6670AL和STB95N3LLH6的区别 |