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MMJT9410T1、MMJT9410T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMJT9410T1 MMJT9410T1G

描述 双极功率晶体管NPN硅集电极 - 发射极耐受电压 - VCEO(SUS)  = 30 VDC(最小)@ IC= 10 MADC•高DC电流增益 - HFE=85(分钟)@ IC= 0.8 ADC=60(分钟)@ IC= 3.0 ADC•低集电极 - 发射极饱和电..双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 30V 3W NPN

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 3.00 A 3.00 A

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 3 W

增益频宽积 72 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 85 @800mA, 1V 85 @800mA, 1V

额定功率(Max) 3 W 3 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1700 mW -

长度 6.5 mm 6.5 mm

宽度 3.5 mm 3.5 mm

高度 1.57 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

香港进出口证 NLR -