MMJT9410T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 85 @800mA, 1V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMJT9410T1G引脚图与封装图
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在线购买MMJT9410T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMJT9410T1G | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 3A 30V 3W NPN | 搜索库存 |
替代型号MMJT9410T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMJT9410T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 N-Channel 30V 3A | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 3A 30V 3W NPN | 当前型号 |
| 型号： NJT4031NT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NJT4031NT1G. 晶体管, NPN, 3A, 40V, 2W, SOT-223 | MMJT9410T1G和NJT4031NT1G的区别 |
| 型号： MMJT9410T1 品牌： 安森美 封装： SOT-223 N-Channel 30V 3A | 类似代替 | 双极功率晶体管NPN硅集电极 - 发射极耐受电压 - VCEO（SUS） = 30 VDC（最小）@ IC= 10 MADC•高DC电流增益 - HFE=85（分钟）@ IC= 0.8 ADC=60（分钟）@ IC= 3.0 ADC•低集电极 - 发射极饱和电.. | MMJT9410T1G和MMJT9410T1的区别 |