BAV199E6327HTSA1、BAV199E6433HTMA1、BAV199LT1G对比区别

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型号 BAV199E6327HTSA1 BAV199E6433HTMA1 BAV199LT1G

描述 INFINEON  BAV199E6327HTSA1  二极管 小信号, AEC-Q101, 双隔离, 75 V, 200 mA, 1.1 V, 600 ns, 4.5 AInfineon 二极管 BAV199E6433HTMA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  BAV199LT1G  二极管 小信号, 单对串联, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 小信号二极管二极管阵列二极管阵列

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 70.0 V 80.0 V 70.0 V

额定电流 - 200 mA 215 mA

电容 2.00 pF 2.00 µF 2.00 pF

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 3 - 3

正向电压 1250 mV 1.25V @150mA 1.25 V

耗散功率 330 mW 330 mW 225 mW

反向恢复时间 1.5 µs 1.5 µs 3 µs

正向电流 200 mA 200 mA 215 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 4.5 A 4.5 A 500 mA

正向电压(Max) 1.1 V 1.25 V 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 215 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) 330 mW 330 mW 300 mW

输出电流 - ≤200 mA -

工作结温 150℃ (Max) 150℃ (Max) -

额定功率 350 mW - -

击穿电压 85.0 V - -

长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99