锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BAV199E6433HTMA1

BAV199E6433HTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon 二极管 BAV199E6433HTMA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装

小信号开关,

Infineon 高速小信号开关二极管,电流额定值高达 1A,反向电压额定值高达 400V。 多数这些设备提供双路、三路和四路配置。


得捷:
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23


欧时:
Infineon 二极管 BAV199E6433HTMA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
二极管 - 通用,功率,开关 Silicon Low Leakage Diode


艾睿:
Switch from an AC voltage to a DC voltage using a switching diode BAV199E6433HTMA1 rectifier from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. Its peak non-repetitive surge current is 4.5 A, while its maximum continuous forward current is 0.2 A. This rectifier has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It is made in a dual series configuration.


Verical:
Diode Switching Si 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BAV199E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 200 mA

电容 2.00 µF

输出电流 ≤200 mA

正向电压 1.25V @150mA

耗散功率 330 mW

反向恢复时间 1.5 µs

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4.5 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BAV199E6433HTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BAV199E6433HTMA1
型号 制造商 描述 购买
BAV199E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 Infineon 二极管 BAV199E6433HTMA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存
替代型号BAV199E6433HTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAV199E6433HTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 80V 200mA

当前型号

Infineon 二极管 BAV199E6433HTMA1, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装

当前型号

型号: BAV199E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 70V 1.25V

类似代替

INFINEON  BAV199E6327HTSA1  二极管 小信号, AEC-Q101, 双隔离, 75 V, 200 mA, 1.1 V, 600 ns, 4.5 A

BAV199E6433HTMA1和BAV199E6327HTSA1的区别