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BQ2002CSN、BQ2002ESN、BQ2002CSNG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ2002CSN BQ2002ESN BQ2002CSNG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  BQ2002CSN  芯片, 镍镉/镍氢电池快速充电控制器NiCd/NiMH 电池充电控制器,Texas Instruments### 电池管理,Texas Instruments电池管理 NiCd/NiMH Gating Charge Mngmnt IC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电池管理芯片电池管理芯片电池管理芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 6.00V (max) 6.00V (max) -

输入电压(DC) 6.00 V 6.00 V 6.00 V

针脚数 8 8 -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4V ~ 6V 4 V 5 V

输入电压 6 V 6 V -

电源电压(Max) 6 V - -

输出电流 - - 2 A

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99