IPD060N03L G、PHD108NQ03LT,118、IPD050N03LGATMA1对比区别

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型号 IPD060N03L G PHD108NQ03LT,118 IPD050N03LGATMA1

描述 INFINEON  IPD060N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 2.2 VNXP  PHD108NQ03LT,118  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 68 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.005 Ω 0.0053 Ω 0.0042 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 56 W 187 W 68 W

阈值电压 2.2 V 1.5 V 2.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 75.0 A 50A

上升时间 3 ns 38 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) 1375pF @12V(Vds) 3200pF @15V(Vds)

下降时间 3 ns 25 ns 3.8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 56 W 187W (Tc) 68W (Tc)

额定功率(Max) 56 W 187 W -

长度 6.5 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -