PHD108NQ03LT,118
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PHD108NQ03LT,118中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0053 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 187 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 1375pF @12VVds
额定功率Max 187 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 187W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PHD108NQ03LT,118引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHD108NQ03LT,118 | NXP 恩智浦 | NXP PHD108NQ03LT,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号PHD108NQ03LT,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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