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IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V

表面贴装型 N 通道 30 V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3


立创商城:
N沟道 30V 50A


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3


IPD050N03LGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 68 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 3200pF @15VVds

下降时间 3.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD050N03LGATMA1引脚图与封装图
IPD050N03LGATMA1引脚图

IPD050N03LGATMA1引脚图

IPD050N03LGATMA1封装图

IPD050N03LGATMA1封装图

IPD050N03LGATMA1封装焊盘图

IPD050N03LGATMA1封装焊盘图

在线购买IPD050N03LGATMA1
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IPD050N03LGATMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V 搜索库存