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AD8510ARZ、AD8510ARZ-REEL、TLE2061AID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8510ARZ AD8510ARZ-REEL TLE2061AID

描述 ANALOG DEVICES  AD8510ARZ  芯片, 运算放大器精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifiersTEXAS INSTRUMENTS  TLE2061AID  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 18.0 V

输出电流 - - ≤80 mA

供电电流 2.2 mA 2.2 mA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

共模抑制比 100 dB 100 dB 65 dB

输入补偿漂移 - - 6.00 µV/K

带宽 8 MHz - 1.8 MHz

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 3.40 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 100 µV 100 µV 500 µV

输入偏置电流 25 pA 25 pA 4 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 8 MHz 8 MHz 2 MHz

共模抑制比(Min) 86 dB 86 dB 65 dB

输入电容 12.5 pF 12.5 pF -

输入阻抗 1.25 TΩ 1.25 TΩ -

电源电压(Max) 15 V 15 V -

电源电压(Min) 5 V 5 V -

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

军工级 No No -