STI16NM50N、STP16NM50N、STB20NM50-1对比区别

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型号 STI16NM50N STP16NM50N STB20NM50-1

描述 N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPN沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPN沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc) 192 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V

输入电容(Ciss) 1200pF @50V(Vds) 1200pF @50V(Vds) 1480pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 192W (Tc)

极性 N-CH - N-Channel

连续漏极电流(Ids) 15A - 20.0 A

额定电压(DC) - - 550 V

额定电流 - - 20.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 250 mΩ

输入电容 - - 1.48 nF

栅电荷 - - 56.0 nC

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

上升时间 - - 16 ns

额定功率(Max) - - 192 W

下降时间 - - 8.5 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 8.95 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free