STI16NM50N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 15A
输入电容Ciss 1200pF @50VVds
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI16NM50N引脚图与封装图
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在线购买STI16NM50N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI16NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP | 搜索库存 |
替代型号STI16NM50N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI16NM50N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： I2PAK N-CH 500V 15A | 当前型号 | N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP | 当前型号 |
| 型号： STP16NM50N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 | 类似代替 | N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP | STI16NM50N和STP16NM50N的区别 |
| 型号： STB20NM50-1 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 550V 20A 250mΩ 1.48nF | 功能相似 | N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET | STI16NM50N和STB20NM50-1的区别 |