![STB20NM50-1](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_355/chanpintu/stb20nm50-1-IfpVbEQH-loeGmlLZ7.png)
额定电压DC 550 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
输入电容 1.48 nF
栅电荷 56.0 nC
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1480pF @25VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 192W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STB20NM50-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STB20NM50-1 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 550V 20A 250mΩ 1.48nF | 当前型号 | N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET | 当前型号 | |
型号: STP16NM50N 品牌: 意法半导体 封装: TO-220-3 | 功能相似 | N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP | STB20NM50-1和STP16NM50N的区别 | |
型号: STI16NM50N 品牌: 意法半导体 封装: I2PAK N-CH 500V 15A | 功能相似 | N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP | STB20NM50-1和STI16NM50N的区别 |