IRF7469TRPBF、IRF7842PBF、IRF7469对比区别

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型号 IRF7469TRPBF IRF7842PBF IRF7469

描述 INFINEON  IRF7469TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V 新N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。SOIC N-CH 40V 9A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定功率 2.5 W 2.5 W -

输出电流 - ≤2.50 A -

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 17 mΩ 0.005 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)

阈值电压 3 V 2.25 V -

输入电容 2000 pF 4500pF @20V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40 V 40.0 V

上升时间 2.2 ns 12 ns 2.20 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @20V(Vds) 4500pF @20V(Vds) 2000pF @20V(Vds)

下降时间 3.5 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 9.00 A - 9.00 A

产品系列 IRF7469 - IRF7469

连续漏极电流(Ids) 9.00 A - 9.00 A

额定功率(Max) 2.5 W - -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -