IRF7842PBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF7842PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2.5 W
输出电流 ≤2.50 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.25 V
输入电容 4500pF @20V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 4500pF @20VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, 电源管理, 计算机和计算机周边
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF7842PBF引脚图与封装图
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在线购买IRF7842PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7842PBF | Infineon 英飞凌 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |
替代型号IRF7842PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7842PBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 当前型号 |
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| 型号： IRF7842TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL | 类似代替 | INFINEON IRF7842TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.25 V | IRF7842PBF和IRF7842TRPBF的区别 |
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