额定电压DC 40.0 V
额定电流 9.00 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
产品系列 IRF7469
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 2.20 ns
输入电容Ciss 2000pF @20VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7469 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOIC N-Channel 40V 9A | 当前型号 | SOIC N-CH 40V 9A | 当前型号 | |
型号: IRF7470TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 11A | 类似代替 | INFINEON IRF7470TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V 新 | IRF7469和IRF7470TRPBF的区别 | |
型号: IRF7469TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 9A | 类似代替 | INFINEON IRF7469TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V 新 | IRF7469和IRF7469TRPBF的区别 | |
型号: IRF7470 品牌: 英飞凌 封装: SOIC N-CH 40V 10A 9mΩ | 类似代替 | SOIC N-CH 40V 10A | IRF7469和IRF7470的区别 |