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IRF7469
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 40V 9A

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Low RDSon
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Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
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Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO


IRF7469中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 9.00 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta

产品系列 IRF7469

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 2.20 ns

输入电容Ciss 2000pF @20VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7469引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF7469 Infineon 英飞凌 SOIC N-CH 40V 9A 搜索库存
替代型号IRF7469
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7469

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOIC N-Channel 40V 9A

当前型号

SOIC N-CH 40V 9A

当前型号

型号: IRF7470TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 11A

类似代替

INFINEON  IRF7470TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V 新

IRF7469和IRF7470TRPBF的区别

型号: IRF7469TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 9A

类似代替

INFINEON  IRF7469TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V 新

IRF7469和IRF7469TRPBF的区别

型号: IRF7470

品牌: 英飞凌

封装: SOIC N-CH 40V 10A 9mΩ

类似代替

SOIC N-CH 40V 10A

IRF7469和IRF7470的区别