SI2325DS-T1-E3、SI2325DS-T1-GE3对比区别

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型号 SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-GE3

描述 VISHAY  SI2325DS-T1-E3  场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-236 SOT-23

针脚数 3 3

漏源极电阻 1.3 Ω 1 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 750 mW 750 mW

漏源极电压(Vds) -150 V -150 V

连续漏极电流(Ids) -690 mA -690 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.75 W 750 mW

长度 3.04 mm -

宽度 1.4 mm -

高度 1.02 mm 1.02 mm

封装 TO-236 SOT-23

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15