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SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2325DS-T1-E3  场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236

The is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp circuits in DC-to-DC power supplies.

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Ultra-low ON-resistance
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Small size
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-55 to 150°C Operating temperature range

欧时:
### P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SI2325DS-T1-E3.  晶体管, P沟道


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
单通道 P 沟道 150 V 1.2 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236


Newark:
# VISHAY  SI2325DS-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -690 mA, -150 V, 1.3 ohm, 6 V, -4.5 V


SI2325DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.3 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -150 V

连续漏极电流Ids -690 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 TO-236

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI2325DS-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI2325DS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2325DS-T1-E3  场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236 搜索库存
替代型号SI2325DS-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI2325DS-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-236 P-Channel -150V -690mA

当前型号

VISHAY  SI2325DS-T1-E3  场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236

当前型号

型号: SI2325DS-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOT-23 P-Channel -150V -690mA

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SI2325DS-T1-E3和SI2325DS-T1-GE3的区别