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SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

**

* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

**

* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

**

* Switch Mode Power Supplies**

**

* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
Si2325DS 系列 150 V 1.2 Ohm 表面贴装 P 沟道 MOSFET - SOT-23-3 TO-236


Verical:
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V


SI2325DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -150 V

连续漏极电流Ids -690 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI2325DS-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI2325DS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V 搜索库存
替代型号SI2325DS-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI2325DS-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-23 P-Channel -150V -690mA

当前型号

VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V

当前型号

型号: SI2327DS-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOT-23 P-Channel 200V 490mA

类似代替

VISHAY  SI2327DS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 490mA, TO-236

SI2325DS-T1-GE3和SI2327DS-T1-GE3的区别

型号: SI2325DS-T1-E3

品牌: 威世

封装: TO-236 P-Channel -150V -690mA

功能相似

VISHAY  SI2325DS-T1-E3  场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236

SI2325DS-T1-GE3和SI2325DS-T1-E3的区别