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MPSA28、MPSA28G、MPSA70RLRMG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA28 MPSA28G MPSA70RLRMG

描述 t-Npn Si- Darl Af/Rf Amp达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon晶体管放大器PNP硅 Amplifier Transistor PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) - 80.0 V -40.0 V

额定电流 - 500 mA -100 mA

极性 - NPN PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 10000 @100mA, 5V 40 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 625 mW 625 mW

耗散功率 - 625 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 - TO-226-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free