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MPSA28G

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS NPN DARL 80V 0.5A TO92


贸泽:
Darlington Transistors 500mA 80V NPN


MPSA28G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MPSA28G引脚图与封装图
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MPSA28G ON Semiconductor 安森美 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon 搜索库存
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型号: MPSA28G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 500mA

当前型号

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

当前型号

型号: MPSA28

品牌: NTE Electronics

封装:

功能相似

t-Npn Si- Darl Af/Rf Amp

MPSA28G和MPSA28的区别

型号: MPSA70

品牌: Continental Device

封装:

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

MPSA28G和MPSA70的区别