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MBT35200MT1、PBSS5350D,115、PBSS5350D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT35200MT1 PBSS5350D,115 PBSS5350D

描述 高电流表面贴装PNP硅开关晶体管,用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable ApplicationsPBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457NXP  PBSS5350D  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 6 6 6

封装 TSOP-6 SC-74-6 SOT-457

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 - - 6

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 625 mW 600 mW 600 mW

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 2A 3A 3A

直流电流增益(hFE) - 200 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 - 100 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @2A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @500mA, 2V -

额定功率(Max) - 750 mW -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 750 mW -

额定电压(DC) -35.0 V - -

额定电流 -2.00 A - -

封装 TSOP-6 SC-74-6 SOT-457

高度 0.94 mm 1 mm -

长度 3 mm - -

宽度 1.5 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -

HTS代码 8541290075 - -