PBSS5350D,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5350D,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 600 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 750 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
PBSS5350D,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5350D,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5350D,115 | NXP 恩智浦 | PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457 | 搜索库存 |
替代型号PBSS5350D,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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