MBT35200MT1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MBT35200MT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -35.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 35 V
集电极最大允许电流 2A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
高度 0.94 mm
封装 TSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541290075
MBT35200MT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MBT35200MT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT35200MT1 | ON Semiconductor 安森美 | 高电流表面贴装PNP硅开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications | 搜索库存 |
替代型号MBT35200MT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT35200MT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TSOP PNP -35V -2A | 当前型号 | 高电流表面贴装PNP硅开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications | 当前型号 |
| 型号： MBT35200MT1G 品牌： 安森美 封装： TSOP PNP -35V -2A 1000mW | 类似代替 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MBT35200MT1和MBT35200MT1G的区别 |
| 型号： PBSS5350D,115 品牌： 恩智浦 封装： SC-74 PNP 750mW | 功能相似 | PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457 | MBT35200MT1和PBSS5350D,115的区别 |