BF1212、BF1212R,215、BF1212WR,115对比区别

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型号 BF1212 BF1212R,215 BF1212WR,115

描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

引脚数 - 4 4

封装 SOT-143 SOT-143 SOT-343-4

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

频率 - 400 MHz 400 MHz

额定电流 30.0 mA 30 mA 30 mA

耗散功率 - 180 mW 180 mW

漏源极电压(Vds) 6.00 V 6 V 6 V

增益 - 30 dB 30 dB

测试电流 - 12 mA 12 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 180 mW 180 mW

额定电压 - 6 V 6 V

额定电压(DC) 6.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA - -

长度 - 3 mm 2.2 mm

宽度 - 1.4 mm 1.35 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-143 SOT-143 SOT-343-4

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free