频率 400 MHz
额定电流 30 mA
耗散功率 180 mW
漏源极电压Vds 6 V
增益 30 dB
测试电流 12 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 180 mW
额定电压 6 V
引脚数 4
封装 SOT-343-4
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-343-4
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BF1212WR,115 | NXP 恩智浦 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF1212WR,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: CMPAK | 当前型号 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V | 当前型号 | |
型号: BF1212R,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-143R 180mW | 完全替代 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V | BF1212WR,115和BF1212R,215的区别 | |
型号: BF1212 品牌: 恩智浦 封装: SOT143 6V 30mA | 功能相似 | N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs | BF1212WR,115和BF1212的区别 | |
型号: BF1212,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-4 N-Channel 180mW | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R | BF1212WR,115和BF1212,215的区别 |