BF1212R,215

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30dB SOT-143R

得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R

BF1212R,215中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6 V

增益 30 dB

测试电流 12 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1212R,215引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BF1212R,215

型号	制造商	描述	购买
BF1212R,215	NXP 恩智浦	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V	搜索库存

替代型号BF1212R,215

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BF1212R,215 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT-143R 180mW	当前型号	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V	当前型号
型号： BF1212WR,115 品牌：恩智浦封装： CMPAK	完全替代	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 6V	BF1212R,215和BF1212WR,115的区别
型号： BF1212R 品牌：恩智浦封装： SOT-143 6V 30mA	类似代替	N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs	BF1212R,215和BF1212R的区别
型号： BF1212 品牌：恩智浦封装： SOT143 6V 30mA	功能相似	N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs	BF1212R,215和BF1212的区别