SI3585CDV-T1-GE3、SI3588DV-T1-E3对比区别

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型号 SI3585CDV-T1-GE3 SI3588DV-T1-E3

描述 VISHAY  SI3585CDV-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 20 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 VVISHAY  SI3588DV-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 20 V, 0.064 ohm, 4.5 V, 450 mV

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOP TSOP

针脚数 6 6

漏源极电阻 0.048 Ω 0.064 Ω

耗散功率 1.4 W 830 mW

阈值电压 1.5 V 450 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

极性 - N-Channel, P-Channel

漏源击穿电压 - 20.0 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) - 3.00 A

封装 TSOP TSOP

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC

包装方式 - Tape & Reel (TR)